失效分析
通过大量的分析方法和技巧来了解产品制造或应用过程中可能发生的问题。Compo的工程师具有业界一流工程专业知识，旨在通过半导体和封装分析了解和解决问题。在客户退货、可靠性失效、制造后遗症支持方面提供协助。 我们的实验室自主运营，但与全球的第三方检测机构合作以分享信息和资源。
明确分析对象
失效分析首先要跟客户确认分析对象及失效的背景，了解失效发生时的情况确定设计，生产， 检验，储存，传送或使用哪个阶段发生的失效。对客户提供的失效样品进行复验，以 明确分析对象确实失效，避免无效的工作。
确定失效模式
失效的表面现象或者失效的表现形式就是失效模式。通常采用电学测试和显微观察进行初 步分析，确定失效现象的可能原因，或者与失效样品的哪一部分有关。IV曲线测试，判断 其电参数是否与原始数据相符，分析失效现象可能与失效样品的哪一部分有关，用显微镜 观察外观是否完整，是否有机械损伤和腐蚀痕迹等。准确描述失效特征模式。可以定位到 电(open,short,leakage等)或者物理(裂纹，侵蚀)失效特征。
判断失效原因
根据失效模式，失效元器件的材料性质，制造工艺理论和经验，结合观察到的相应失效部位 的形状，大小，位置，颜色以及化学成分，物理结构特性等因素，参照失效发生的阶段失效 发生时的应力条件，提出可能导致失效的原因。失效可能由一系列的原因造成：设计缺陷， 材料质量问题，制造过程问题，运输或储藏条件不当，操作时过载等。
研究失效机理
失效的物理化学根源叫失效机理，如(1)open的可能失效机理：过电烧毁(EOS),静电 损伤(ESD),金属电迁移，金属的电化学腐蚀，压焊点脱落，CMOS电路的闩锁效应。(2) leakage和short的可能失效机理：颗粒引发短路，介质击穿，PN微等离子击穿，Si-AI互溶。 失效机理的研究需要很多技术支持，我们日常的工作基本上就是一个失效机理的认证过程。
提出预防措施 及设计改进方法
根据分析判断，提出消除产生失效的办法和建议，及时地反馈到设计，工艺，使用。
报告结论
一旦分析完成，结果将记录在一份书面报告中，其中说明异常现象与故障模式的关系，并包含用于进行根本原因分析的足够存档内容。
